| PART |
Description |
Maker |
| SFH4246 |
IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4289 |
GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Geh漉se mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens 发动器红外光在SMT Lumineszenzdiode，盖赫锓林斯本身麻省理工学院在SMT封装的GaAIAs红外发射器与镜头
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Electronic Theatre Controls, Inc.
ETC
OSRAM GmbH
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| SFH464E7800 SFH464 Q62702-Q1745 |
GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm 发动器，Lumineszenzdiode 660纳米发光二极管的GaAIAs 660纳米
From old datasheet system
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SIEMENS AG
SIEMENS[Siemens Semiconductor Group]
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| SCA-3-11 |
Power Splitter/Combiner 3 Way-0° 50?/a> 100 to 940 MHz
From old datasheet system
Power Splitter/Combiner 3 Way-0∑ 50з 100 to 940 MHz
Power Splitter/Combiner 3 Way-0 50 100 to 940 MHz
Power Splitter/Combiner 3 Way-050з 100 to 940 MHz
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MINI[Mini-Circuits]
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| SFH4555 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4056 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH435012 Q65110A2091 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4253 Q65110A6657 |
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
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OSRAM GmbH
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| SFH4203 |
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter
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OSRAM GmbH
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| OLD123 |
1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm
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OKI ELECTRIC INDUSTRY CO LTD
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| QEB363.YR |
1.9 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 940 nm
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QT OPTOELECTRONICS
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